芯粤能半导体申请半导体器件结构及其制备方法专利，可以在缩小半导体器件结构尺寸的同时，不影响半导体器件结构的BV特性

国家知识产权局信息显示，广东芯粤能半导体有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN122719153A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层；多个第二掺杂类型柱结构，各第二掺杂类型柱结构均包括：第二掺杂类型柱及第二掺杂类型的注入区；沟槽栅极结构，包括多个第一沟槽栅极结构；第一沟槽栅极结构在衬底的表面的正投影位于第二掺杂类型柱结构在衬底的表面的正投影内；第二掺杂类型的连接区，与多个第二掺杂类型柱结构均相接触。本申请可以在不提高第二掺杂类型柱的掺杂浓度的情况下缩小半导体器件结构的尺寸，可以减少所需的光罩数，减少光刻和刻蚀的次数，从而节省生产成本，提高经济效益；可以在缩小半导体器件结构尺寸的同时，不影响半导体器件结构的BV特性。

天眼查资料显示，广东芯粤能半导体有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本45793.1035万人民币。通过天眼查大数据分析，广东芯粤能半导体有限公司参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可103个。

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