芯百特申请GaN毫米波功率放大器自适应偏置温度补偿方法专利，实现对GaN毫米波功率放大器动态工作状态和结温变化的实时感知与自适应偏置补偿

国家知识产权局信息显示，芯百特微电子（无锡）有限公司申请一项名为“一种GaN毫米波功率放大器自适应偏置温度补偿方法”的专利，公开号CN122764141A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明公开了一种GaN毫米波功率放大器自适应偏置温度补偿方法，涉及功率放大器偏置控制技术领域。该方法包括：获取功率放大器在当前时刻的输入信号包络和漏极供电纹波，并据其构建栅极偏置补偿的初始时域映射关系；根据初始时域映射关系生成第一栅极调节电压并施加至栅极端，同时采集栅极泄漏电流和沟道热噪声底噪；根据栅极泄漏电流和沟道热噪声底噪计算本征结温偏移量；根据本征结温偏移量对初始时域映射关系进行一次更新，获得更新时域映射关系，并生成第二栅极调节电压替换第一栅极调节电压。本方法实现了对GaN毫米波功率放大器动态工作状态和结温变化的实时感知与自适应偏置补偿。

天眼查资料显示，芯百特微电子（无锡）有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1788.1578万人民币。通过天眼查大数据分析，芯百特微电子（无锡）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息75条，此外企业还拥有行政许可11个。

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