清溢光电子公司拟投建三期高端半导体掩膜版项目，投资上限15亿元

11月9日盘后，清溢光电披露公告，其控股子公司佛山清溢微电子有限公司（下称佛山清溢微）拟在现有高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期、二期基础上投建三期项目。

三期项目计划总投资额不超过15亿元，主要产品为覆盖28nm—14nm制程的高端半导体掩膜版，建设期36个月，预计2026年12月开工。

该投资事项已经公司第十届董事会战略委员会第一次会议和第十届董事会第二十一次会议审议通过，未达到股东会审议标准，无需提交股东会审议。

相关协议、合同的签署及后续事项办理，由董事会授权公司法定代表人、董事长唐英敏或其指定的授权代理人负责；本次投资不属于关联交易，也不构成重大资产重组。

项目尚需履行项目备案、环境影响评价等行政审批手续，建设地点为佛山市南海区丹灶镇丹凤路6号。

项目将在佛山清溢微现有厂房基础上实施改造、引入新设备以扩建生产线，不超过15亿元的投资额涵盖设备采购费、装修费等支出，最终投资总额以项目建设实际投资为准。

上市公司本身对项目的投资金额为0万元，所需资金由佛山清溢微以自有或自筹方式解决，不涉及募集资金。

从沿革看，2023年8月清溢光电曾公告拟在佛山市南海区投资35亿元建设佛山生产基地，其中高端半导体掩膜版生产基地建设项目分三期推进、合计拟投资15亿元。

该规划中，一期、二期、三期分别拟投资6.05亿元、2.95亿元和6亿元，实施主体为佛山清溢微；公告显示，目前一期已顺利投产，二期正稳步推进，本次三期项目投资上限为15亿元。

公司称，三期项目属于在一期、二期基础上的扩建，意在抓住半导体产业国产替代的战略机遇，填补高端半导体掩膜版的产能缺口。

三期项目定位为面向国内先进制程晶圆制造环节的高端半导体掩膜版本土化配套产能，产品聚焦28nm—14nm节点，承接国内晶圆厂扩产和制程升级带来的增量需求。

公告提到，公司在55nm掩膜版制程节点已实现技术突破，积累了掩膜版核心工艺、材料、检测等技术经验，并形成了较为成熟的研发、工艺及生产人才团队。

公司表示，从现有技术平台向28nm—14nm节点迭代的技术路线具有连贯性，此前积累的人才储备可以复用。

按公告表述，三期项目建成后可提升公司半导体掩膜版产品的技术能力和产能，优化产品结构并提高市场份额。

清溢光电以掩膜版的研发、设计、生产和销售为主业，是国内成立最早、规模最大的掩膜版生产企业之一，产品以石英掩膜版、苏打掩膜版为主。

这些产品应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等领域，公司已在深圳、合肥、佛山形成三大生产基地布局。

公司2026年半年度报告援引Omdia 2026年7月统计数据，按2025年全球平板显示掩膜版企业销售金额排名，公司居全球第四位、中国第一位。

该半年度报告显示，2026年上半年公司已实现京东方G8.6 OLED产线用掩膜版量产。

业绩方面，2026年前三季度公司实现营业收入9.74亿元，同比增长4.90%；上半年营业收入为6.54亿元，同比增长5.08%。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。