市场预测存储价格将在第4季度继续上涨 进入新一轮涨价周期

根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估NAND Flash价格回暖之后，DRAM价格也会上涨。近期上游存储资源价格进一步上调，NAND涨价行情扩散至小容量256Gb NAND Wafer，1Tb/512Gb/256GbTLC NAND Flash分别调涨至3.65/1.80/1.03美元。

NAND闪存供应商为减少亏损，2023年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，8月NANDFlash芯片合约价格出现反弹，9月继续上涨。截止9月底，存储原厂减产时间已达6-12个月，而预计持续到2024年的减产，意味着原厂减产时长将长达至少9-15个月。随着减产效果越来越显著，原厂强势拉涨的决心强烈，上游资源供应明显趋紧，部分资源在现货市场上供不应求。

市场专家还预测，NAND闪存价格将在第4季度继续上涨。集邦咨询对第4季度NAND闪存价格持乐观态度，估计增长约3%至8%，高于最初预测的0%至5%。DRAM的复苏要稍微晚一些，预估将于今年第4季度开始上涨，标志着新一轮增长周期的开始。

甬兴证券近日指出，存储板块目前存在三因素共振：供应端推动NAND产品涨价；库存逐渐回到正常水位；AI带动HBM与DDR5需求上升。建议关注兆易创新、东芯股份、江波龙、深科技、德明利等。