DRAM营收暴增369%，行业景气扩散至半导体设备！国产替代企业迎机遇

据《科创板日报》消息，随着先进DRAM供需日趋紧张，三星电子与SK海力士两大存储巨头正竞相订购ASML极紫外（EUV）光刻设备，各自投资上限或达到20万亿韩元（约合人民币992亿元）。由于ASML的设备交付周期据称已翻倍，两家公司均考虑提前下单锁定未来两三年的供应。

这轮抢半导体设备潮的源头是AI算力对存储先进产能的持续虹吸。

专业机构的数据显示，2026年第三季度全球DRAM市场营收接近2000亿美元，同比增长369%，增长主要由涨价推动；而集邦咨询预测今年四季度PC DRAM合约价环比再涨13%-18%。

尤其高端存储量价齐升节奏更突出。SEMI中国研判，2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元、占DRAM市场近四成，即便三大原厂将70%新增及可调配产能向HBM倾斜，产能缺口仍高达50%-60%，有机构预计2027年HBM价格可能上涨80%-100%。

为此，存储双雄扩产路径明确：两家计划2027年量产1D DRAM；2028年小规模生产0a DRAM；High-NAEUV技术将在0a阶段引入。

而设备紧缺正向前后端蔓延：EUV方面，ASML称2027年和2028年计划供应量都将无法满足需求；后端领域，韩美半导体订单积压长达两到三年，HBM热压键合机持续扩产。

映射到国内，国产设备在客户验证、量产导入和份额提升方面仍有较大空间，在海外设备供应紧张叠加进口封锁日趋严峻背景下，国产设备将获得更多政策倾斜，加速渗透并兑现业绩。

展望后市，存储产业景气度正向设备环节扩散。SEMI预测2026年全球半导体设备销售额达1659亿美元、同比增长23.2%。而设备紧缺有望延续至2028年。

具体到A股市场，可优先关注刻蚀、薄膜沉积、CMP等已在先进存储产线放量、国产替代进度领先的平台型设备龙头。（光大证券微资讯）